Bericht versturen
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com TEL.: 86--13825240555
Huis > producten > De Spaander van transistoric >
FS200R12KT4RB11BOSA1
  • FS200R12KT4RB11BOSA1

FS200R12KT4RB11BOSA1

Productdetails
Categorie:
Discrete halfgeleiderproducten Transistors IGBT's IGBT-modules
Huidig - Collector ((Maximum) Ic):
280 A
Productstatus:
Actief
Montage-type:
Chassismontage
Pakket:
Tray
Reeks:
-
Pakket / doos:
Module
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender:
1200 V
Verpakking van de leverancier:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Werktemperatuur:
-40°C ~ 150°C
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding:
1 mA
IGBT-Type:
-
Maximum macht -:
1000 watt
Invoer:
Standaard
Inputcapacitieve weerstand (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configuratie:
Omschakelaar in drie stadia
NTC-Thermistor:
- Ja, dat klopt.
Basisproductnummer:
FS200R12
Betaling & het Verschepen Termijnen
Beschrijving
IGBT-modus 1200V 280A 1000W
Productomschrijving
IGBT-module Driefasige omvormer 1200 V 280 A 1000 W Chassis Mount-module

Geadviseerde Producten

Contacteer op elk ogenblik ons

86--13825240555
609 nr 4018, baoan Weg, Xixiang-Straat, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
Rechtstreeks uw onderzoek naar verzend ons